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深圳市腾迅辉电子科技有限公司

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SQJ140EP-T1-GE3 晶体管 VISHAY/威世《腾迅辉》原装现货假一罚十

发布时间: 2023/2/13 10:30:41 | 89 次阅读

标题产品:SQJ140EP-T1-GE3  MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140EP-T1-GE3 晶体管  VISHAY/威世《腾迅辉》原装现货假一罚十

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 266 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 49.2 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 263 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SQJ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - zui小值: 55 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 506.600 mg

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