标题产品： SQJ140EP-T1-GE3 MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ140EP-T1-GE3 分立半导体
- 晶体管
- MOSFET
制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 266 A Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 49.2 nC zui小工作温度: - 55 C zui大工作温度: %2B 175 C Pd-功率耗散: 263 W 通道模式: Enhancement 商标名: TrenchFET 系列: SQJ 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Vishay / Siliconix 配置: Single 下降时间: 9 ns 正向跨导 - zui小值: 55 S 产品类型: MOSFET 上升时间: 19 ns 3000 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 26 ns 典型接通延迟时间: 15 ns 单位重量: 506.600 mg标题图片：
